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水處理EDI常見問題及應(yīng)對措施
來源: | 作者:源洋水處理設(shè)備 | 發(fā)布時(shí)間: 2021-12-15 | 325 次瀏覽 | 分享到:
01 氧化


問題來源:1、原水自帶的氧化性物質(zhì),2、預(yù)處理殺菌投加的氧化劑或紫外燈運(yùn)行產(chǎn)生的氧化性物質(zhì)

特征:氧化會導(dǎo)致樹脂破碎堵塞流道,使系統(tǒng)出力逐漸下降(壓差上升或流量下降),且化學(xué)清洗無效,可能會使產(chǎn)水水質(zhì)下降,過程時(shí)間較長。


措施:一級RO進(jìn)水處投加還原劑,控制進(jìn)水ORP≤200mv為宜。EDI進(jìn)水側(cè)不能安裝紫外線殺菌裝置。

平時(shí)需做好數(shù)據(jù)記錄,如發(fā)現(xiàn)性能持續(xù)下降應(yīng)及時(shí)處理或反饋(因?yàn)閮x表有準(zhǔn)度問題,不能完全依賴ORP)。

每天應(yīng)至少記錄下述參數(shù)一次


以下參數(shù)應(yīng)每星期至少記錄一次


02 缺水燒毀

問題來源:EDI通過電來遷移離子,其過程會產(chǎn)生一定的熱量,如缺水通電會導(dǎo)致模塊局部過熱燒毀

特征:EDI電流電壓明顯異常或無法上電,通常水質(zhì)會下降,過程時(shí)間很短。


措施:避免EDI在缺水情況下通電,淡水、濃水、極水都應(yīng)設(shè)置流量保護(hù)及報(bào)警,沒有設(shè)置自動保護(hù)的則需要人工做好閥門檢查及流量確認(rèn)。

PS:不合格產(chǎn)排管道需與產(chǎn)水一樣受調(diào)節(jié)閥控制流量,否則產(chǎn)排時(shí)可能導(dǎo)致濃水與極水流量下降造成隱患。


03 模塊污堵

①結(jié)垢或有機(jī)物污堵

問題來源:進(jìn)水水質(zhì)波動,RO膜脫鹽率下降或未采用二級RO工藝;長期停機(jī)細(xì)菌滋生

特征:會逐漸使模塊出力降低,很可能使產(chǎn)水水質(zhì)下降,通?;瘜W(xué)清洗有效

措施:及時(shí)進(jìn)行化學(xué)清洗,定期分析進(jìn)水水質(zhì)及RO膜是否需要更換;長期停機(jī)應(yīng)定期通新鮮水防止長菌。

PS:判斷EDI系統(tǒng)是否污堵需從壓力及流量兩方面綜合考慮,例如產(chǎn)水恒流系統(tǒng)中流量雖無變化,壓差及進(jìn)水壓力明顯上升即提示污堵

②進(jìn)水側(cè)物理污堵

問題來源:新系統(tǒng)安裝前未對進(jìn)水管路沖洗

特征:投運(yùn)后短時(shí)間內(nèi)EDI出力下降,產(chǎn)水水質(zhì)通常無明顯下降
 
措施:對問題模塊進(jìn)行反沖洗,反沖洗壓力不宜高于0.2MPa,沖洗水水質(zhì)需滿足

04 EDI進(jìn)水要求質(zhì)、系統(tǒng)出力、電流電壓正常,產(chǎn)水水質(zhì)不達(dá)標(biāo)

①正負(fù)極接反

特征:接反的模塊通電后產(chǎn)水電導(dǎo)比進(jìn)水電導(dǎo)高很多,不通電產(chǎn)水水質(zhì)反而更好,電流電壓顯示正常。

措施:檢測電源正負(fù)極,調(diào)整接線

電源接頭接線方式:1地 2正 3負(fù)


②壓力設(shè)置不合理

E-CELL模塊在調(diào)試時(shí)需要設(shè)置濃水進(jìn)比淡水出壓力低0.35-0.7bar,以實(shí)現(xiàn)全過程淡水壓力>濃水壓力


無法設(shè)置的情況:濃水管徑太小或水泵揚(yáng)程太低,為保證濃水流量而無法降低濃水進(jìn)水壓力至合適值。

措施:推薦EDI淡水進(jìn)水壓力要達(dá)到4bar,并選擇適宜的管徑

③二氧化碳的影響

EDI進(jìn)水PH需7-7.5,如偏酸可能會有少量二氧化碳?xì)怏w無法去除,經(jīng)過EDI后會生成碳酸氫根離子影響水質(zhì)。


措施:二級RO加堿將PH提升至8-9,二氧化碳反應(yīng)成為離子從而被RO膜及EDI去除

PS:二氧化碳是相對易溶的氣體,雨水在下落過程中會吸收二氧化碳至PH≈5.6,因此在一級RO產(chǎn)水加裝除碳器可能效果并不理想。

④需加強(qiáng)電流再生

EDI經(jīng)過清洗、長期停機(jī)或者一段時(shí)間通水不通電運(yùn)行后都可能需要加強(qiáng)電流再生


措施:保證好流量正常的情況下將電流提高至3-4A運(yùn)行,水質(zhì)恢復(fù)后再逐漸降低電流